频率范围

F

10

100

4000

MHz

工作温度

Ta

见表2

℃

存储温度

Ts

－55

+85

℃

频率精度

±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2℃

频率温度稳定度

见表2

老化

±0.01

±0.5

±1

ppm/year

输出波形

H：CMOS； S：Sine Wave

输出电平

＋5

＋10

＋13

dBm/50W

Sine Wave

CMOS

电源电压

V_dd

G：12±5%；H：5±5%

V

*可定制

工作电流

I_MAX

350

400

450

mA

V_dd ＝12V

I_稳定

200

250

300

S（±0.005）

A (±0.01)

B (±0.05)

C (±0.1)

D (±0.5)

A -20℃～+70℃

√

√

√

√

√

B -40℃～+85℃

√

√

√

C -55℃～+85℃

*定制

√

√

D -40℃～+70℃

√

√

√

√

A

B

C

F

1Hz

－80

－85

－90

10Hz

－90

－100

－105

*定制

100Hz

－120

－125

－130

1kHz

－150

－155

－160

10kHz

－162

－165

－165

100kHz

－165

－165

－170