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强大的产品研发能力和创新能力

抗振低相噪晶体振荡器JH-AVXO50C系列

产品特点
技术指标
配件信息

l  静态相位噪声低, 最优≤-160dBc/Hz@1kHz

l  动态相位噪声低, 最优≤-150dBc/Hz@1kHz

l  频率稳定度高, 10-7 ~10-8

l 广泛适用于军民用通讯、雷达等领域


                                                                            表1

性能指标

符号

最小

典型参数

最大

单位

条件/备注

频率范围

F

10

10

200

MHz


工作温度

Ta

见表2


存储温度

Ts

55


+85


频率精度


±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2

频率温度稳定度


见表2



老化


±0.01

±0.5

±1

ppm/year


输出波形


HCMOS SSine Wave



输出电平


5

10

13

dBm/50W

Sine Wave





CMOS

电源电压

Vdd

G12±5%H5±5%

V

*可定制

工作电流

IMAX

350

400

450

mA

Vdd 12V

I稳定

200

250

300


                                                                            表2

温度范围

频率温度稳定度(ppm

S±0.005

(±0.01)

(±0.05)

(±0.1)

(±0.5)

A -20℃~+70

B -40℃~+85



C -55℃~+85



*定制

D -40℃~+70



                                                                      表3

偏离载频

静态相位噪声(dBc/Hz|0100MHz

A


B


C

F

1kHz

150


155


160


10kHz

160


165


168

100kHz

165


168


170


                                                                    表4

偏离载频

动态相位噪声(dBc/Hz|0100MHz

A


B


C

F

1kHz

140


145


150


10kHz

160


160


160

100kHz

165


165


165


暂无数据
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