频率范围

F

10

10

200

MHz

工作温度

Ta

见表2

℃

存储温度

Ts

－55

+85

℃

频率精度

±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2℃

频率温度稳定度

见表2

时域稳定度

见表4

@1S

见表4

@10S

老化

±0.01

±0.5

±1

ppm/year

输出波形

H：CMOS； S：Sine Wave

输出电平

＋5

＋10

＋13

dBm/50W

Sine Wave

CMOS

电源电压

V_dd

G：12±5%；H：5±5%

V

*可定制

工作电流

I_MAX

350

400

450

mA

V_dd ＝12V

I_稳定

200

250

300

S（±0.005）

A (±0.01)

B (±0.05)

C (±0.1)

D (±0.5)

A 0℃～+50℃

√

√

√

√

√

B -10℃～+60℃

√

√

√

√

√

C -20℃～+70℃

√

√

√

√

√

D -40℃～+85℃

√

√

√

E -55℃～+85℃

*定制

√

√

F -40℃～+70℃

√

√

√

√

A

B

C

D

U

F

1Hz

-90

-95

-100

-110

-115

10Hz

－120

－123

－125

－135

－140

*定制

100Hz

－145

－150

－152

－155

－158

1kHz

－155

－158

－160

－165

－168

10kHz

－162

－165

－165

－172

－172

100kHz

－165

－165

－170

－173

－175

A

B

C

F

@1S

5×10^-12

3×10^-12

1×10^-12

@10S

1×10^-11

6×10^-12

4×10^-12

*定制