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低相噪恒温晶体振荡器JH-LPXO36系列

产品特点
技术指标
配件信息

l  频率稳定度高 10-8 ~10-9

l  超低相位噪声(典型频率5 MHz、10MHz)

l  标准封装结构

l 广泛适用于军民用通信、电子等领域


                                                                     表1

性能指标

符号

最小

典型参数

最大

单位

条件/备注

频率范围

F

5

10100

200

MHz


工作温度

Ta

见表2


存储温度

Ts

55


+85


频率精度


±0.2

±0.5

±1

ppm

+25℃±2

频率温度稳定度


见表2



老化


±0.01

±0.5

±1

ppm/year


输出波形


HCMOS

SSine Wave



输出电平


5

10

13

dBm/50W

Sine Wave





CMOS

电源电压

Vdd

G12±5%

H5±5%

V

*可定制

工作电流

IMAX

350

400

450

mA

Vdd 12V

I稳定

100

150

180


                                                                    表2

温度范围

频率温度稳定度(ppm

S(±0.005

A (±0.01)

B (±0.05)

C (±0.1)

D (±0.5)

A 0℃~+50

B -10℃~+60

C -20℃~+70

D -40℃~+85



E -55℃~+85



*定制

F -40℃~+70



                                                                    表3

偏离载频

相位噪声(dBc/Hz|010MHz

A

B

C

D

U

F

1Hz

90

95

100

110

115


10Hz

120

123

125

135

140

*定制

100Hz

145

150

152

155

158

1kHz

155

158

160

165

168

10kHz

162

165

165

172

172

100kHz

165

165

170

173

175


偏离载频

相位噪声(dBc/Hz|0100MHz

A

B

C

D

E

F

10Hz

90

95

97

100

105

*定制

100Hz

120

125

127

130

132

1kHz

150

152

153

155

158

10kHz

160

160

162

163

165

100kHz

160

162

165

165

168



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