频率范围

F

10

150

MHz

典型频率

10，20，32.512，40，50，80，100，120，150

工作温度

Ta

见表2

℃

存储温度

Ts

－55

+85

℃

频率精度

±0.5

±1

±1.5

ppm

+25℃±2℃

频率温度稳定度

见表2

老化

±0.5

±1

±2

ppm/year

输出波形

H：HCMOS；LV:LVCMOS

S：Sine Wave

输出电平

10±2

dBm/50W

Sine Wave

CMOS

电源电压

V_dd

G：12±5%

H：5±5%

V

*可定制

工作电流

I_dd

5

15

25

mA

V_dd ＝5V

相位噪声(典型值)

10Hz

100Hz

1kHz

10kHz

-90

-115

-140

-150

dBc/Hz

|₀＝32.512MHz

A (±0.3)

B (±0.5)

C (±1)

D (±1.5)

A 0℃～+50℃

√

√

√

√

B -10℃～+60℃

√

√

√

√

C -20℃～+70℃

√

√

√

√

D -40℃～+85℃

√

√

√

√

E –55℃～+85℃

*定制

√

F –40℃～+70℃

√

√

√