高稳低相噪恒温晶振JH-HSXO36系列
产品特点及应用：
l 双层精密恒温
l 频率稳定度高 10-8 ～10-9
l 低相位噪声（10MHz）
l 标准封装结构
l 广泛适用于军民用通信、电子等领域
表1
|
性能指标 |
符号 |
最小 |
典型参数 |
最大 |
单位 |
条件/备注 |
|
频率范围 |
F |
10 |
10 |
200 |
MHz |
|
|
工作温度 |
Ta |
见表2 |
℃ |
|
||
|
存储温度 |
Ts |
－55 |
|
+85 |
℃ |
|
|
频率精度 |
|
±0.2 |
±0.5 |
±1 |
ppm |
+25℃±2℃ |
|
频率温度稳定度 |
|
见表2 |
|
|
||
|
时域稳定度 |
见表4 |
@1S |
|
|||
|
见表4 |
@10S |
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||||
|
老化 |
|
±0.01 |
±0.5 |
±1 |
ppm/year |
|
|
输出波形 |
|
H：CMOS； S：Sine Wave |
|
|
||
|
输出电平 |
|
＋5 |
＋10 |
＋13 |
dBm/50W |
Sine Wave |
|
|
|
|
|
CMOS |
||
|
电源电压 |
Vdd |
G：12±5%；H：5±5% |
V |
*可定制 |
||
|
工作电流 |
IMAX |
350 |
400 |
450 |
mA |
Vdd ＝12V |
|
I稳定 |
200 |
250 |
300 |
|||
表2
|
温度范围 |
频率温度稳定度（ppm） |
||||
|
S（±0.005） |
A (±0.01) |
B (±0.05) |
C (±0.1) |
D (±0.5) |
|
|
A 0℃～+50℃ |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
|
B -10℃～+60℃ |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
|
C -20℃～+70℃ |
√ |
√ |
√ |
√ |
√ |
|
D -40℃～+85℃ |
|
|
√ |
√ |
√ |
|
E -55℃～+85℃ |
|
|
*定制 |
√ |
√ |
|
F -40℃～+70℃ |
|
√ |
√ |
√ |
√ |
表3
|
偏离载频 |
相位噪声（dBc/Hz）|0＝10MHz |
|||||
|
A |
B |
C |
D |
U |
F |
|
|
1Hz |
-90 |
-95 |
-100 |
-110 |
-115 |
|
|
10Hz |
－120 |
－123 |
－125 |
－135 |
－140 |
*定制 |
|
100Hz |
－145 |
－150 |
－152 |
－155 |
－158 |
|
|
1kHz |
－155 |
－158 |
－160 |
－165 |
－168 |
|
|
10kHz |
－162 |
－165 |
－165 |
－172 |
－172 |
|
|
100kHz |
－165 |
－165 |
－170 |
－173 |
－175 |
|
|
时域稳定度 |
|0＝10MHz |
|||||
|
A |
|
B |
|
C |
F |
|
|
@1S |
5×10-12 |
|
3×10-12 |
|
1×10-12 |
|
|
@10S |
1×10-11 |
|
6×10-12 |
|
4×10-12 |
*定制 |